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基于时序的SPICE精度级工艺分析

ICExplore-XTime

  先进工艺下,各种工艺效应对时序的影响变得更加敏感,如米勒效应,长尾效应等,导致基于工艺角的传统静态时序分析签核方法面临巨大挑战,STA计算数据和实际Silicon数据的误差也越来越大。对于低电压设计及DVFS动态电压频率调整,需要寻求单独的解决方案去分析不同电压下设计的性能表现。先进工艺节点导致工艺偏差呈现非高斯分布,在低电压下更加明显,即使STA增加AOCV/POCV/LVF等处理方式,仍然会引入过量悲观或者出现覆盖不全的情况。
       ICExplorer-XTime®提供了基于时序的SPICE精度级工艺分析解决方案,完美的解决了16nm及以下先进工艺条件下,STA与Silicon之间的精度问题。它可以帮助Foundry厂商更加容易的搭建Ring Oscillator进行工艺分析。内置的V/T sweep 功能可以帮助自动分析时序路径随电压和温度变化的敏感度。快速Monte Carlo仿真提供高效、高精度的工艺偏差分析。如果工艺的结果未能到达预期,XTime提供了方案可以指导工艺优化。

 

 

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  • 基于时序的SPICE精度级工艺分析datasheet

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