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晶体管级电源完整性分析工具

Empyrean Patron

          依据摩尔定律及后摩尔定律,工业界一直致力于在缩小芯片面积的同时增加内部器件数量,器件本身尺寸及连接方式变得越来越受限。随着FinFET和GAAFET结构技术的开发和应用,电迁移及电压降效应(EM/IR)对芯片设计带来的挑战变得无法忽视。

          与此同时,先进节点制程相较于传统工艺对热效应的敏感性更强,由于金属连接线宽变小,电迁移效应所造成的影响也更加显著。为了保证电源完整性,对于电迁移效应和电流分配的检查也是必要的。

          现在由于低功耗和高速数据处理的需求,低电压及超低电压设计较为流行。电源网络的寄生效应对于这类设计的影响很关键。压降分析(IR-drop)可以帮助设计用户检查电路各部分的实际应用电压是否满足设计需求。

          随着物联网(IoT)及汽车电子应用方面的需求快速增长,传统节点工艺对于EM/IR分析的需求也随之增加。高操作电压域及严格的可靠性要求也带来了对于模拟芯片的EM/IR验证方面新的需求。

          Empyrean Patron®聚焦于模拟芯片的电源完整性检查解决方案。集成电路设计用户可以通过该工具快速且高效的得到完整、精准、可靠的EM/IR分析数据及检查报告。  

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  • 晶体管级电源完整性分析工具 Empyrean Patron datasheet
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